在顯微鏡下用可控探針直接拾取—對準—釋放2D薄片或功能結構，實現無聚合物支撐、無濕法腐蝕的轉移與組裝。

高穩定顯微鏡+高清相機、精密XYZ(含旋轉)位移臺、微動探針臂（鎢針/改裝針，尖端幾十納米—數十微米）。

界面潔凈（無膠殘留）、精準對位（適合復雜異質結）、可在惰性環境/真空配合退火，顯著提升器件一致性與性能。

↑上圖為劃刻光刻法（scratching-lithography）制備晶圓級二硫化鉬（MoS?）單層的整個實驗過程、原理以及結果

• 先在獨立基底制備Au等電極，再整體“摘取”精準貼放到2D半導體（如Bi?O?Se）上，避免在脆弱薄膜上直接光刻/濺射。

• 亮點：繞開在 2D 薄膜上直寫電極引入的膠殘留與高能金屬濺射損傷，降低接觸勢壘與寄生串擾；分離“制電極”和“接觸界面”兩環節，提升可重復性、可逆性與版圖靈活度。

• 將生長于剛性基底的有機單晶/納米線轉移至柔性電路，繞開沉積損傷。

• 結構優化：在探針端纏金絲以增大接觸面積并降低劃傷風險；實現有機納米線晶體管與陣列，空穴遷移率0.1–0.61 cm2·V?1·s?1，開關比>10?，并演示多級憶阻存儲。

• 亮點：避免金屬沉積對有機晶體的熱/動能損傷與高漏電；突破柔性基底上直接生長/圖形化難、對準難、良率低的問題；通過柔性探針端結構降低基底劃傷與搬運破碎風險。

• 以超平Ag/Au薄膜作“范德華掩模”，探針切割成形并轉移覆蓋2D材料，承受等離子/腐蝕/退火等流程后可整體撕離、無殘留。

• 分辨率示例：在Bi?O?Se上實現≈300 nm溝道；對半覆蓋MoTe?實現選擇性刻蝕與清晰高度差，證明高保真保護與圖形能力。

• 亮點：替代有機光刻膠，消除光刻殘留與剝離二次污染；避免濕法工藝下邊緣欠刻/過刻與掩模形變；在不接觸化學溶劑的全干法流程中實現亞微米級圖形，并可重復使用掩模降低成本。

多功能一體化：同一平臺內完成劃刻、搬運、異質堆疊與金屬連線“微焊接”，顯著縮短流程、提高試制效率。

結構/材料創新：纏金絲探針、液態金屬黏附、超平金屬掩模等，擴展適配材料與場景，提升“抓取力”與潔凈度。

精度與潔凈極限：亞微米/納米級對準與組裝日趨普及；惰性/真空環境配合原位加熱退火，獲得接近原子級潔凈界面。

自動化與規模化：步進與視覺閉環實現批量軌跡加工；機器人系統在晶圓級2D膜轉移上展示高良率與高通量，為產業化鋪路。